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江苏第三代半导体研究院取得氮化物光电器件外延层结构等相关专利:光电器件
金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片”的专利，授权公告号CN115312641B，申请日期为
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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片”的专利，授权公告号CN115312641B，申请日期为