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爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120343922A，申请日期为2024年06月半导体。
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120343922A，申请日期为2024年06月半导体。