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  • 华星光电申请发光基板及其制备方法、显示装置专利,在提高OLED器件性能的同时简化OLED器件的结构:光电器件

    华星光电申请发光基板及其制备方法、显示装置专利,在提高OLED器件性能的同时简化OLED器件的结构:光电器件

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    金融界2025年6月24日消息,国家知识产权局信息显示,武汉华星光电技术有限公司申请一项名为“发光基板及其制备方法、显示装置”的专利,公开号CN120201868A,申请日期为2025年03月光电器件

    2025-09-13
  • TCL科技获得发明专利授权:“氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件”:光电器件

    TCL科技获得发明专利授权:“氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件”:光电器件

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    证券之星消息,根据天眼查APP数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权,专利名为“氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件”,专利申请号为CN202110564800.6,授权

    2025-09-13
  • 晶能光电取得CSP器件及其制备方法、发光阵列结构专利:光电器件

    晶能光电取得CSP器件及其制备方法、发光阵列结构专利:光电器件

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    金融界2025年8月13日消息,国家知识产权局信息显示,晶能光电股份有限公司取得一项名为“CSP器件及其制备方法、发光阵列结构”的专利,授权公告号CN119677265B,申请日期为2025年02月光

    2025-09-13
  • 广东聚华申请一种封装结构及其制备方法、光电器件及显示装置专利,提高光电器件的稳定性与使用寿命:光电器件

    广东聚华申请一种封装结构及其制备方法、光电器件及显示装置专利,提高光电器件的稳定性与使用寿命:光电器件

    联系我们 # 华申请 # 封装结 # 方法 # 利 # 提 # 高光电华申请 # 高光电 # 光电器件

    金融界2025年7月1日消息,国家知识产权局信息显示,广东聚华印刷显示技术有限公司申请一项名为“一种封装结构及其制备方法、光电器件及显示装置”的专利,公开号CN120239445A,申请日期为2023

    2025-09-13
  • 京东方华灿光电(广东)申请发光器件及发光器件制备方法专利,提供一种发光器件及发光器件制备方法:光电器件

    京东方华灿光电(广东)申请发光器件及发光器件制备方法专利,提供一种发光器件及发光器件制备方法:光电器件

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    金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(广东)有限公司申请一项名为“发光器件及发光器件制备方法”的专利,公开号CN120529711A,申请日期为2025年04月光电器

    2025-09-13
  • 广东聚华申请一种光电器件及其制备方法、显示装置专利,有效提升光电器件的发光均匀性:光电器件

    广东聚华申请一种光电器件及其制备方法、显示装置专利,有效提升光电器件的发光均匀性:光电器件

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    金融界2025年7月29日消息,国家知识产权局信息显示,广东聚华印刷显示技术有限公司申请一项名为“一种光电器件及其制备方法、显示装置”的专利,公开号CN120390563A,申请日期为2024年01月

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月18日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120343922A,申请日期为2024年06月半导体。

    2025-09-13
  • 力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

    力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及形成半导体装置的方法”的专利,公开号CN120187085A,申请日期为2023年12月半

    2025-09-13
  • 采埃孚申请半导体封装等相关专利,涉及半导体封装、功率半导体模块及制造方法:半导体

    采埃孚申请半导体封装等相关专利,涉及半导体封装、功率半导体模块及制造方法:半导体

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    金融界2025年6月24日消息,国家知识产权局信息显示,采埃孚股份公司申请一项名为“半导体封装、功率半导体模块及制造方法”的专利,公开号CN120199735A,申请日期为2024年12月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

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    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
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