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  • 新磊半导体取得半导体测试数据处理方法专利:半导体

    新磊半导体取得半导体测试数据处理方法专利:半导体

    产品展示 # 方法专方法专 # 半导体

    金融界2025年6月27日消息,国家知识产权局信息显示,新磊半导体科技(苏州)股份有限公司取得一项名为“一种半导体测试数据的处理方法”的专利,授权公告号CN116047254B,申请日期为2023年0

    2025-09-13
  • 格力电器获得实用新型专利授权:“一种半导体测试装置”:半导体

    格力电器获得实用新型专利授权:“一种半导体测试装置”:半导体

    案例展示 # 利授权利授权 # 半导体

    证券之星消息,根据天眼查APP数据显示格力电器(000651)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种半导体测试装置”,专利申请号为CN202422336168.1,授权日为2025年9月12日半导

    2025-09-13
  • 凤翔光电取得光电子器件测试装置专利:光电器件

    凤翔光电取得光电子器件测试装置专利:光电器件

    联系我们 # 凤翔光凤翔光 # 光电器件

    金融界2025年7月22日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市凤翔光电电子有限公司取得一项名为“一种光电子器件的测试装置”的专利,授权公告号CN118961126B,申请日期为2024年09月光电器件

    2025-09-13
  • 云岭光电取得多功能插针器件测试装置及方法专利:光电器件

    云岭光电取得多功能插针器件测试装置及方法专利:光电器件

    联系我们 # 云岭光 # 方法专云岭光 # 方法专 # 光电器件

    金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,武汉云岭光电股份有限公司取得一项名为“多功能插针器件的测试装置以及方法”的专利,授权公告号CN118884309B,申请日期为2024年07月光

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

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    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

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    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

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    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

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    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
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