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  • 捷捷半导体取得半导体喷涂装置与系统专利 确保半导体产品表面喷涂料厚度均匀:半导体

    捷捷半导体取得半导体喷涂装置与系统专利 确保半导体产品表面喷涂料厚度均匀:半导体

    案例展示 # 保半导保半导 # 半导体

    金融界2025年7月16日消息,国家知识产权局信息显示,捷捷半导体有限公司取得一项名为“一种半导体喷涂装置与系统”的专利,授权公告号CN223097045U,申请日期为2024年06月半导体。专利

    2025-09-13
  • 维耶尔公司申请光电微器件专利,开发衬底上可释放并转移至系统衬底的微器件:光电器件

    维耶尔公司申请光电微器件专利,开发衬底上可释放并转移至系统衬底的微器件:光电器件

    行业动态 # 利 # 开 # 申请光 # 维耶尔利 # 维耶尔 # 光电器件

    金融界2025年8月9日消息,国家知识产权局信息显示,维耶尔公司申请一项名为“光电微器件”的专利,公开号CN120457537A,申请日期为2023年12月光电器件。专利摘要显示,本公开涉及衬底上的

    2025-09-13
  • 康佳光电申请一种器件检测方法和系统专利 有效检测待测器件表面倾斜状态:光电器件

    康佳光电申请一种器件检测方法和系统专利 有效检测待测器件表面倾斜状态:光电器件

    案例展示 # 康佳光 # 申请一 # 方法和康佳光 # 方法和 # 光电器件

    金融界2025年7月4日消息,国家知识产权局信息显示,重庆康佳光电科技有限公司申请一项名为“一种器件检测方法和系统”的专利,公开号CN120252575A,申请日期为2024年01月光电器件。专利摘

    2025-09-13
  • *ST大立:公司在核心器件、光电智能系统产品等领域有相关技术储备:光电器件

    *ST大立:公司在核心器件、光电智能系统产品等领域有相关技术储备:光电器件

    产品展示 # 储备 # 关技术 # ST储备 # ST # 光电器件

    证券之星消息,*ST大立(002214)08月15日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题光电器件。投资者提问:今年航天五院在杭州发布商业航天卓越供应平台,打造全国首个商业卫星全产业链超市;由长春光

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    产品展示 # 方法和 # 成都紫 # 申请半 # 利 # 本方法和 # 本 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

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    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    案例展示 # 申请制 # 方法和 # 利 # 提 # 高半导申请制 # 高半导 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

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    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
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