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  • AI拉动存储芯片需求,科创半导体ETF(588170)有望三连阳:半导体

    AI拉动存储芯片需求,科创半导体ETF(588170)有望三连阳:半导体

    新闻资讯 # 588170 # 储芯片 # ETF588170 # ETF # 半导体

    截至2025年9月12日14点42分,上证科创板半导体材料设备主题指数上涨0.66%,成分股京仪装备上涨6.19%,神工股份上涨4.18%,华海诚科上涨3.54%,华峰测控上涨3.48%,有研硅上涨

    2025-09-13
  • A股收评:三大指数集体下跌,存储芯片、半导体板块大涨:半导体

    A股收评:三大指数集体下跌,存储芯片、半导体板块大涨:半导体

    关于我们 # 储芯片储芯片 # 半导体

    钛媒体App9月12日消息,A股三大指数集体下跌,沪指跌0.12%,报3870.6点,深成指跌0.43%,报12924.13点,创业板指跌1.09%,报3020.42点,科创50指数涨0.9%,报1

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    产品展示 # 方法和 # 成都紫 # 申请半 # 利 # 本方法和 # 本 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    产品展示 # 申请半 # 利 # 本 # 明公开申请半 # 明公开 # 半导体

    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 安靠科 # 申请半 # 方法专 # 利 # 提 # 方法安靠科 # 方法 # 半导体

    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    案例展示 # 申请制 # 方法和 # 利 # 提 # 高半导申请制 # 高半导 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 申请半 # 方法专 # 利 # 涉 # 方法申请半 # 方法 # 半导体

    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    产品展示 # 成都紫 # 申请半 # 方法和 # 利 # 提 # 方法成都紫 # 方法 # 半导体

    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    联系我们 # 安半导 # 申请半 # 利 # 一 # 包含独安半导 # 包含独 # 半导体

    金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利,公开号CN120380670A,申请日期为2023年07月

    2025-09-13
  • 力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

    力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

    关于我们 # 成半导 # 申请半 # 方法专 # 利 # 提 # 方法成半导 # 方法 # 半导体

    金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及形成半导体装置的方法”的专利,公开号CN120187085A,申请日期为2023年12月半

    2025-09-13
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