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  • 盛美半导体取得半导体基板湿法刻蚀方法专利:半导体

    盛美半导体取得半导体基板湿法刻蚀方法专利:半导体

    案例展示 # 盛美半 # 方法专盛美半 # 方法专 # 半导体

    金融界2025年7月23日消息,国家知识产权局信息显示,盛美半导体设备(上海)股份有限公司取得一项名为“半导体基板的湿法刻蚀方法”的专利,授权公告号CN112530797B,申请日期为2019年09月

    2025-09-13
  • 【ETF动向】9月12日国联安中证半导体ETF基金涨2.68%,份额减少3.22亿份:半导体

    【ETF动向】9月12日国联安中证半导体ETF基金涨2.68%,份额减少3.22亿份:半导体

    案例展示 # ETF # 安中证 # 金涨 # 2.68 # 3.22ETF # 3.22 # 半导体

    证券之星消息,9月12日,国联安中证半导体ETF基金(512480)涨2.68%,成交额13.81亿元半导体。当日份额减少了3.22亿份,最新份额为149.05亿份,近20个交易日份额减少55.52

    2025-09-13
  • 【*】国泰基金的半导体设备ETF(159516.SZ)主力资金流出1363.1万元:半导体

    【*】国泰基金的半导体设备ETF(159516.SZ)主力资金流出1363.1万元:半导体

    产品展示 # 1363.1 # 159516 # 金的半 # 金流出 # 万元1363.1 # 万元 # 半导体

    9月12日,半导体设备ETF(159516)报收1.232元,收涨0.65%,成交金额2.68亿元半导体。主力资金(单笔成交额100万元以上)流出金额达1363.1万元。拉长时间看,该基金近4天

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    产品展示 # 方法和 # 成都紫 # 申请半 # 利 # 本方法和 # 本 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    产品展示 # 申请半 # 利 # 本 # 明公开申请半 # 明公开 # 半导体

    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 安靠科 # 申请半 # 方法专 # 利 # 提 # 方法安靠科 # 方法 # 半导体

    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    案例展示 # 申请制 # 方法和 # 利 # 提 # 高半导申请制 # 高半导 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 申请半 # 方法专 # 利 # 涉 # 方法申请半 # 方法 # 半导体

    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    产品展示 # 成都紫 # 申请半 # 方法和 # 利 # 提 # 方法成都紫 # 方法 # 半导体

    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    联系我们 # 安半导 # 申请半 # 利 # 一 # 包含独安半导 # 包含独 # 半导体

    金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利,公开号CN120380670A,申请日期为2023年07月

    2025-09-13
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