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  • 屹唐半导体申请半导体工件传输设备专利,利于提升半导体工件的良率:半导体

    屹唐半导体申请半导体工件传输设备专利,利于提升半导体工件的良率:半导体

    行业动态 # 唐半导 # 申请半 # 利 # 利于提 # 良率唐半导 # 良率 # 半导体

    金融界2025年6月28日消息,国家知识产权局信息显示,北京屹唐半导体科技股份有限公司申请一项名为“半导体工件的传输设备”的专利,公开号CN120221480A,申请日期为2025年03月半导体。

    2025-09-13
  • 屹唐半导体敲钟上市,半导体设备“全军出击”:半导体

    屹唐半导体敲钟上市,半导体设备“全军出击”:半导体

    行业动态 # 唐半导 # 钟上市唐半导 # 钟上市 # 半导体

    近日,国内半导体设备领域迎来重要里程碑——屹唐半导体于7月8日正式在科创板敲响上市钟声半导体。资本市场对半导体设备领域的关注持续升温,6月30日,中科仪正式获得北交所IPO受理;专注高端薄膜沉积设备

    2025-09-13
  • 直击SEMI-e半导体展,8/12英寸衬底、高功率GaN方案集中亮相:半导体

    直击SEMI-e半导体展,8/12英寸衬底、高功率GaN方案集中亮相:半导体

    产品展示 # 英寸衬 # 高功率 # 方案集 # SEMI # GaN英寸衬 # GaN # 半导体

    2025年9月10日,备受瞩目的SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展在深圳国际会展中心(宝安新馆)盛大开幕半导体。本次展会汇聚了半导体全产业链的核心代表力量,涵盖芯片设计、制造

    2025-09-13
  • 波长光电32%毛利,国产光学器件如何撕开ASML护城河?:光电器件

    波长光电32%毛利,国产光学器件如何撕开ASML护城河?:光电器件

    新闻资讯 # 何撕开 # 毛利 # ASML # 32何撕开 # 32 # 光电器件

    ˂imgsrc="http://www.snaxin.com/zb_users/upload/2025-09-13/68c4e8f38551d.jpg"alt="波长光电32%毛利光电器件,国产

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    产品展示 # 方法和 # 成都紫 # 申请半 # 利 # 本方法和 # 本 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    产品展示 # 申请半 # 利 # 本 # 明公开申请半 # 明公开 # 半导体

    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 安靠科 # 申请半 # 方法专 # 利 # 提 # 方法安靠科 # 方法 # 半导体

    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    案例展示 # 申请制 # 方法和 # 利 # 提 # 高半导申请制 # 高半导 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 申请半 # 方法专 # 利 # 涉 # 方法申请半 # 方法 # 半导体

    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    产品展示 # 成都紫 # 申请半 # 方法和 # 利 # 提 # 方法成都紫 # 方法 # 半导体

    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
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