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中广核技实现硅光电倍增器国产化突破，器件良率超90%:光电器件
深圳商报•读创客户端记者张妍近日，我国高性能硅光电倍增器（SiPM）国产化取得重大突破光电器件。记者从中广核核技术发展有限公司（以下简称“中广核技”）获悉，由其旗下中广核京师光电科技（天津）有限公
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中广核技实现硅光电倍增器国产化突破 器件良率超90%:光电器件
中证报中证网讯（记者刘丽靓）据中广核6月24日消息，近日，我国高性能硅光电倍增器（SiPM）国产化取得重大突破，由中广核技旗下中京光电打造的SiPM封装产线成功通线，并提前达成器件良率超90%的目标
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波长光电32%毛利，国产光学器件如何撕开ASML护城河？:光电器件
˂imgsrc="http://www.snaxin.com/zb_users/upload/2025-09-13/68c4e8f38551d.jpg"alt="波长光电32%毛利光电器件，国产
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我国高性能硅光电倍增器（SiPM）国产化突破，器件良率超90%:光电器件
澎湃新闻6月24日从中广核核技术发展有限公司获悉，由其旗下中广核京师光电科技（天津）有限公司打造的SiPM封装产线成功通线，并提前达成器件良率超90%的目标，标志着国内高性能SiPM产品实现关键自主化
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成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利，本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利，公开号CN120166763A，申请日期为2023年12月半导
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群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利，本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体
金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利，公开号CN120187183A，申请日期为2024年11月半导体。专利摘要
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安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利，提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120300093A，申请日期为2020年12月
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紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利，提高半导体元件的生产效率:半导体
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利，公开号CN120164784A，申请日期为2023年12
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爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120512894A，申请日期为2024年07月半导体。
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成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利，提供一种半导体元件的形成方法:半导体
金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利，公开号CN120164841A，申请日期为2023年12月半导