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  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 申请半 # 方法专 # 利 # 涉 # 方法申请半 # 方法 # 半导体

    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月18日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120343922A,申请日期为2024年06月半导体。

    2025-09-13
  • 采埃孚申请半导体封装等相关专利,涉及半导体封装、功率半导体模块及制造方法:半导体

    采埃孚申请半导体封装等相关专利,涉及半导体封装、功率半导体模块及制造方法:半导体

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    金融界2025年6月24日消息,国家知识产权局信息显示,采埃孚股份公司申请一项名为“半导体封装、功率半导体模块及制造方法”的专利,公开号CN120199735A,申请日期为2024年12月半导体。

    2025-09-13
  • 全芯半导体取得半导体封装及其制造方法专利:半导体

    全芯半导体取得半导体封装及其制造方法专利:半导体

    联系我们 # 封装及 # 方法专封装及 # 方法专 # 半导体

    金融界2025年8月5日消息,国家知识产权局信息显示,广东全芯半导体有限公司取得一项名为“一种半导体封装及其制造方法”的专利,授权公告号CN119764298B,申请日期为2024年12月半导体。

    2025-09-13
  • 上海邦芯半导体取得半导体结构制造相关专利:半导体

    上海邦芯半导体取得半导体结构制造相关专利:半导体

    关于我们 # 关专利关专利 # 半导体

    金融界2025年8月8日消息,国家知识产权局信息显示,上海邦芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体结构制造方法及半导体结构”的专利,授权公告号CN120280340B,申请日期为2025年06月

    2025-09-13
  • 雷曼光电申请显示器件制造方法和装置专利,提高显示器件的产品良率:光电器件

    雷曼光电申请显示器件制造方法和装置专利,提高显示器件的产品良率:光电器件

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    金融界2025年7月9日消息,国家知识产权局信息显示,深圳雷曼光电科技股份有限公司申请一项名为“显示器件制造方法和装置”的专利,公开号CN120282611A,申请日期为2025年03月光电器件。专

    2025-09-13
  • 苏州政道光电申请一种调光器件及其制造方法专利,提供一种调光器件:光电器件

    苏州政道光电申请一种调光器件及其制造方法专利,提供一种调光器件:光电器件

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    金融界2025年8月13日消息,国家知识产权局信息显示,苏州政道光电材料有限公司申请一项名为“一种调光器件及其制造方法”的专利,公开号CN120469125A,申请日期为2025年07月光电器件。专

    2025-09-13
  • 浙江光昊光电科技申请化合物及其在光电领域的应用专利,能制造具有高色域的显示器件:光电器件

    浙江光昊光电科技申请化合物及其在光电领域的应用专利,能制造具有高色域的显示器件:光电器件

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    金融界2025年7月4日消息,国家知识产权局信息显示,浙江光昊光电科技有限公司申请一项名为“化合物及其在光电领域的应用”的专利,公开号CN120265606A,申请日期为2023年11月光电器件。专

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

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    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
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