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  • 屹唐半导体敲钟上市,半导体设备“全军出击”:半导体

    屹唐半导体敲钟上市,半导体设备“全军出击”:半导体

    行业动态 # 唐半导 # 钟上市唐半导 # 钟上市 # 半导体

    近日,国内半导体设备领域迎来重要里程碑——屹唐半导体于7月8日正式在科创板敲响上市钟声半导体。资本市场对半导体设备领域的关注持续升温,6月30日,中科仪正式获得北交所IPO受理;专注高端薄膜沉积设备

    2025-09-13
  • 半导体全线反弹,半导体设备ETF(159516)涨超2%:半导体

    半导体全线反弹,半导体设备ETF(159516)涨超2%:半导体

    产品展示 # 159516 # ETF159516 # ETF # 半导体

    午后,半导体全线反弹,半导体设备ETF(159516)涨超2%,成交额持续放大半导体。昨日资金净流入额超7600万元。天风证券指出,电子和半导体行业当前呈现供需格局改善趋势半导体。基础化工板块中

    2025-09-13
  • 爱矽半导体取得半导体晶圆片承托装置专利:半导体

    爱矽半导体取得半导体晶圆片承托装置专利:半导体

    联系我们 # Array # 半导体

    金融界2025年7月18日消息,国家知识产权局信息显示,江苏爱矽半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体晶圆片承托装置”的专利,授权公告号CN118983260B,申请日期为2024年07月半导体

    2025-09-13
  • 全芯半导体取得半导体封装及其制造方法专利:半导体

    全芯半导体取得半导体封装及其制造方法专利:半导体

    联系我们 # 封装及 # 方法专封装及 # 方法专 # 半导体

    金融界2025年8月5日消息,国家知识产权局信息显示,广东全芯半导体有限公司取得一项名为“一种半导体封装及其制造方法”的专利,授权公告号CN119764298B,申请日期为2024年12月半导体。

    2025-09-13
  • 杭州富芯半导体取得半导体结构制备方法专利:半导体

    杭州富芯半导体取得半导体结构制备方法专利:半导体

    产品展示 # 杭州富 # 方法专杭州富 # 方法专 # 半导体

    金融界2025年8月13日消息,国家知识产权局信息显示,杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“半导体结构的制备方法”的专利,授权公告号CN115632039B,申请日期为2022年10月半导体。天眼

    2025-09-13
  • 长飞先进半导体取得提高半导体划片切割精度专利:半导体

    长飞先进半导体取得提高半导体划片切割精度专利:半导体

    产品展示 # 高半导高半导 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司取得一项名为“半导体器件及制造方法、晶片结构”的专利,授权公告号CN119480652B,申请日期为2025年01

    2025-09-13
  • 南亚科技申请半导体元件专利,公开一种半导体元件:半导体

    南亚科技申请半导体元件专利,公开一种半导体元件:半导体

    联系我们 # 利 # 公 # 申请半 # 亚科利 # 亚科 # 半导体

    金融界2025年8月5日消息,国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件”的专利,公开号CN120417374A,申请日期为2024年05月半导体。专利摘要显示,本发明公

    2025-09-13
  • 新磊半导体取得半导体测试数据处理方法专利:半导体

    新磊半导体取得半导体测试数据处理方法专利:半导体

    产品展示 # 方法专方法专 # 半导体

    金融界2025年6月27日消息,国家知识产权局信息显示,新磊半导体科技(苏州)股份有限公司取得一项名为“一种半导体测试数据的处理方法”的专利,授权公告号CN116047254B,申请日期为2023年0

    2025-09-13
  • 爱矽半导体取得半导体晶片厚度检测装置专利:半导体

    爱矽半导体取得半导体晶片厚度检测装置专利:半导体

    案例展示 # Array # 半导体

    金融界2025年7月18日消息,国家知识产权局信息显示,江苏爱矽半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体晶片厚度检测装置”的专利,授权公告号CN116460057B,申请日期为2023年05月半导体

    2025-09-13
  • 杭州富芯半导体取得半导体结构制备相关专利:半导体

    杭州富芯半导体取得半导体结构制备相关专利:半导体

    产品展示 # 杭州富 # 关专利杭州富 # 关专利 # 半导体

    金融界2025年8月12日消息,国家知识产权局信息显示,杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利,授权公告号CN115513122B,申请日期为2022年10月半导

    2025-09-13
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