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  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

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    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

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    金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利,公开号CN120380670A,申请日期为2023年07月

    2025-09-13
  • 力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

    力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及形成半导体装置的方法”的专利,公开号CN120187085A,申请日期为2023年12月半

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月18日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120343922A,申请日期为2024年06月半导体。

    2025-09-13
  • 索尼半导体申请半导体装置专利,能够使半导体装置小型化:半导体

    索尼半导体申请半导体装置专利,能够使半导体装置小型化:半导体

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN120513709A,申请日期为2024年01月半导体。专利摘要显示,本发

    2025-09-13
  • 邦芯半导体取得一种半导体结构制备方法及半导体结构专利:半导体

    邦芯半导体取得一种半导体结构制备方法及半导体结构专利:半导体

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    金融界2025年7月29日消息,国家知识产权局信息显示,上海邦芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体结构制备方法及半导体结构”的专利,授权公告号CN120261286B,申请日期为2025年06

    2025-09-13
  • 瑞能微恩半导体取得半导体结构专利,提高半导体结构的散热能力:半导体

    瑞能微恩半导体取得半导体结构专利,提高半导体结构的散热能力:半导体

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    金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,瑞能微恩半导体(上海)有限公司取得一项名为“半导体结构”的专利,授权公告号CN223006768U,申请日期为2024年09月半导体。专利摘

    2025-09-13
  • 沃孚半导体申请热增强型功率半导体封装专利,提供半导体封装:半导体

    沃孚半导体申请热增强型功率半导体封装专利,提供半导体封装:半导体

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    金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,沃孚半导体公司申请一项名为“热增强型功率半导体封装”的专利,公开号CN120530492A,申请日期为2023年12月半导体。专利摘要显示,

    2025-09-13
  • 上海邦芯半导体取得一种半导体结构制备方法及半导体结构专利:半导体

    上海邦芯半导体取得一种半导体结构制备方法及半导体结构专利:半导体

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    金融界2025年7月8日消息,国家知识产权局信息显示,上海邦芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体结构制备方法及半导体结构”的专利,授权公告号CN119890040B,申请日期为2025年03月

    2025-09-13
  • 泰成半导体取得易于脱模的半导体模具专利 便于脱模增加半导体生产效率:半导体

    泰成半导体取得易于脱模的半导体模具专利 便于脱模增加半导体生产效率:半导体

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    金融界2025年6月28日消息,国家知识产权局信息显示,泰成半导体精密(苏州)有限公司取得一项名为“一种易于脱模的半导体模具”的专利,授权公告号CN223030238U,申请日期为2024年08月半导

    2025-09-13
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