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  • 鼎龙股份:公司部分半导体先进封装材料与HBM技术相关:半导体

    鼎龙股份:公司部分半导体先进封装材料与HBM技术相关:半导体

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    证券之星消息,鼎龙股份(300054)09月12日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题半导体。投资者提问:尊敬的董秘半导体,您好!请问公司有什么HBM相关联产品吗?有什么产品可以用于HBM吗?

    2025-09-13
  • TCL科技获得发明专利授权:“氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件”:光电器件

    TCL科技获得发明专利授权:“氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件”:光电器件

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    证券之星消息,根据天眼查APP数据显示TCL科技(000100)新获得一项发明专利授权,专利名为“氢化氧化锌纳米材料及其制备方法、薄膜以及光电器件”,专利申请号为CN202110564800.6,授权

    2025-09-13
  • 浙江光昊光电申请含苯并菲有机化合物在有机光电器件应用专利,能得到稳定的有机发光材料:光电器件

    浙江光昊光电申请含苯并菲有机化合物在有机光电器件应用专利,能得到稳定的有机发光材料:光电器件

    联系我们 # 江光昊 # 申请含 # 利 # 能江光昊 # 能 # 光电器件

    金融界2025年7月9日消息,国家知识产权局信息显示,浙江光昊光电科技有限公司申请一项名为“一种含苯并菲的有机化合物及其在有机光电器件中的应用”的专利,公开号CN120282970A,申请日期为202

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

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    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

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    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

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    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

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    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

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    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

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    金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利,公开号CN120380670A,申请日期为2023年07月

    2025-09-13
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