厦门世纳芯科技有限公司
  • 关于我们
  • 产品展示
  • 新闻资讯
  • 案例展示
  • 行业动态
  • 联系我们
  • 热门搜索
首页  > 新科半导体散热
  • 瑞能微恩半导体取得半导体结构专利,提高半导体结构的散热能力:半导体

    瑞能微恩半导体取得半导体结构专利,提高半导体结构的散热能力:半导体

    联系我们 # 瑞能微 # 利 # 提 # 高半导瑞能微 # 高半导 # 半导体

    金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,瑞能微恩半导体(上海)有限公司取得一项名为“半导体结构”的专利,授权公告号CN223006768U,申请日期为2024年09月半导体。专利摘

    2025-09-13
  • 中镓半导体取得半导体封装结构以及半导体装置专利,可有效提高散热效果:半导体

    中镓半导体取得半导体封装结构以及半导体装置专利,可有效提高散热效果:半导体

    产品展示 # 封装结 # 利 # 可 # 高散热封装结 # 高散热 # 半导体

    金融界2025年7月25日消息,国家知识产权局信息显示,东莞市中镓半导体科技有限公司取得一项名为“半导体封装结构以及半导体装置”的专利,授权公告号CN223156021U,申请日期为2024年07月半

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体

    产品展示 # 方法和 # 成都紫 # 申请半 # 利 # 本方法和 # 本 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120166763A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利,本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体

    产品展示 # 申请半 # 利 # 本 # 明公开申请半 # 明公开 # 半导体

    金融界2025年6月23日消息,国家知识产权局信息显示,群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利,公开号CN120187183A,申请日期为2024年11月半导体。专利摘要

    2025-09-13
  • 安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利,提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 安靠科 # 申请半 # 方法专 # 利 # 提 # 方法安靠科 # 方法 # 半导体

    金融界2025年7月12日消息,国家知识产权局信息显示,安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120300093A,申请日期为2020年12月

    2025-09-13
  • 紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利,提高半导体元件的生产效率:半导体

    案例展示 # 申请制 # 方法和 # 利 # 提 # 高半导申请制 # 高半导 # 半导体

    金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利,公开号CN120164784A,申请日期为2023年12

    2025-09-13
  • 爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利,涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体

    案例展示 # 申请半 # 方法专 # 利 # 涉 # 方法申请半 # 方法 # 半导体

    金融界2025年8月20日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利,公开号CN120512894A,申请日期为2024年07月半导体。

    2025-09-13
  • 成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利,提供一种半导体元件的形成方法:半导体

    产品展示 # 成都紫 # 申请半 # 方法和 # 利 # 提 # 方法成都紫 # 方法 # 半导体

    金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利,公开号CN120164841A,申请日期为2023年12月半导

    2025-09-13
  • 三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    三安半导体申请半导体激光元件专利,一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体

    联系我们 # 安半导 # 申请半 # 利 # 一 # 包含独安半导 # 包含独 # 半导体

    金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利,公开号CN120380670A,申请日期为2023年07月

    2025-09-13
  • 力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

    力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利,提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体

    关于我们 # 成半导 # 申请半 # 方法专 # 利 # 提 # 方法成半导 # 方法 # 半导体

    金融界2025年6月20日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及形成半导体装置的方法”的专利,公开号CN120187085A,申请日期为2023年12月半

    2025-09-13
1 2 3 4 5 下一页 共9页

热门标签

  • 光电器件
  • 半导体
  • 利
  • 方法专
  • 提
  • 申请半
  • 方法
  • 关专利
  • Array
  • LED
  • ETF
  • 方法和
  • 关专利关专利
  • 申请光
  • 明专利
  • 权:“
  • 有
  • 华星光
  • 安半导
  • 能
  • 方法及方法及
  • 本
  • 封装结
  • 申请发
  • 申请一
  • 赛晶科
  • 588170
  • ETF588170
  • 高半导
  • 方法申请半

相关词汇

  • 奥地利 半导体 (485)
  • 半导体工厂成本 (288)
  • 国外半导体利润 (419)
  • 半导体的漫卷 (93)
  • 顺义半导体厂房 (144)
  • 东芝半导体发展 (243)
  • 半导体流程掺杂 (447)
  • 半导体烧录方案 (438)
  • 上海半导体小镇 (144)
  • 半导体孔加工 (176)
  • 首页 | XML地图 | TXT地图 | HTML地图 | 产品展示 | 新闻资讯 | 行业动态 | 搜索聚合

    闽ICP备2021013514号

    版权所有:厦门世纳芯科技有限公司

    • 友情链接:
    • 日照百石达石材有限公司
    • 天津华建扣件有限公司
    • 江苏三牧兽用器械制造有限公司
    • 宜兴市振邦环境科技有限公司
    • 巩义市德锐机械有限公司
    • 贵州省江西商会
    • 名度商标转让网
    • 天津市天成宝丰机电工程有限公司
    • 杭州正润信息技术有限公司
    • 欣永康美容中心
    • 成都美祜贤电子技术有限公司
    • 长春市世纪包装印务有限公司
    • 海门震宇过滤设备有限公司
    • 巴州天葡果汁酿造有限责任公司
    • 河北长宏采暖设备制造有限公司
    • 香河县香宝三机械制造有限公司
    • 山东鑫旺通金属制品有限公司
    • 上海德顿轴承有限公司
    • 云南展兆铝业铝单板厂家
    • 兰溪市宏伟建筑构件厂
    • 浙江晶逸物业管理有限公司成都分公司