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奥趋光电取得高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板及制备方法专利:光电器件
金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，奥趋光电技术（杭州）有限公司取得一项名为“一种高频高性能SAW器件用碳化硅基AlScN模板及制备方法”的专利，授权公告号CN113871289B，
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成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利，本公开涉及一种半导体元件的形成方法和半导体元件:半导体
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利，公开号CN120166763A，申请日期为2023年12月半导
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群创光电申请半导体晶片与半导体装置专利，本发明公开一种半导体晶片与半导体装置:半导体
金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，群创光电股份有限公司申请一项名为“半导体晶片与半导体装置”的专利，公开号CN120187183A，申请日期为2024年11月半导体。专利摘要
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安靠科技申请半导体装置和制造半导体装置的方法专利，提供半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，安靠科技新加坡控股私人有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120300093A，申请日期为2020年12月
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紫光半导体申请制备半导体元件的方法和得到的半导体元件专利，提高半导体元件的生产效率:半导体
金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备半导体元件的方法和得到的半导体元件”的专利，公开号CN120164784A，申请日期为2023年12
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爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120512894A，申请日期为2024年07月半导体。
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成都紫光半导体申请半导体元件的形成方法和半导体元件专利，提供一种半导体元件的形成方法:半导体
金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体元件的形成方法和半导体元件”的专利，公开号CN120164841A，申请日期为2023年12月半导
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三安半导体申请半导体激光元件专利，一种半导体激光元件包含独特杂质浓度曲线的 N 侧半导体层:半导体
金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“半导体激光元件”的专利，公开号CN120380670A，申请日期为2023年07月
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力晶积成申请半导体装置及形成半导体装置的方法专利，提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法:半导体
金融界2025年6月20日消息，国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及形成半导体装置的方法”的专利，公开号CN120187085A，申请日期为2023年12月半
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爱思开海力士申请半导体装置及制造半导体装置的方法专利，本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法:半导体
金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN120343922A，申请日期为2024年06月半导体。